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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | LCC-32 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XQCC-N32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | QCCN |
| 封装等效代码： | LCC32,.45X.55 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 Class B |
| 最大待机电流： | 0.02 A | 最小待机电流： | 4.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.16 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7164S70LB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CQCC32 |
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| 7164S70P | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28 |
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| 7164S70T | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28 |
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| 7164S70TB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28 |
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| 7164S70TC | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28 |
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| 7164S70TCB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28 |
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| 7164S70TDG8 | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K |
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| 7164S70TDG88 | IDT |
获取价格 |
CMOS Static RAM 64K |
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| 7164S70TDGB | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, GREEN, CERAMIC, DIP-28 |
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| 7164S70TDGB8 | IDT |
获取价格 |
Standard SRAM, 8KX8, 70ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, GREEN, CERAMIC, DIP-28 |
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