是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | 27 X 27 MM, 2.33 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, BGA-272 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.85 |
最长访问时间: | 3.4 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B272 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 1179648 bit | 内存集成电路类型: | APPLICATION SPECIFIC SRAM |
内存宽度: | 18 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 4 |
端子数量: | 272 | 字数: | 65536 words |
字数代码: | 64000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64KX18 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA272,20X20,50 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.015 A |
最小待机电流: | 3.15 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.325 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.45 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.15 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V5388S166BC | IDT |
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Multi-Port SRAM, 64KX18, 3.2ns, CMOS, PBGA256 |
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70V5388S166BCG | IDT |
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Four-Port SRAM, 64KX18, 3.2ns, CMOS, PBGA256, 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, GREE |
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70V5388S166BCG8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 64KX18, 3.2ns, CMOS, PBGA256 |
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70V5388S166BCI | IDT |
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CABGA-256, Tray |
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70V5388S166BCI8 | IDT |
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CABGA-256, Reel |
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70V5388S166BG | IDT |
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PBGA-272, Tray |
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70V5388S166BGG | IDT |
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Four-Port SRAM, 64KX18, 3.2ns, CMOS, PBGA272, 27 X 27 MM, 2.33 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, G |
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70V5388S166BGI | IDT |
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PBGA-272, Tray |
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70V5388S200BC8 | IDT |
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CABGA-256, Reel |
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70V5388S200BCG8 | IDT |
获取价格 |
Multi-Port SRAM, 64KX18, 3ns, CMOS, PBGA256 |
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