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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | QCCJ, LDCC68,1.0SQ |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.24 |
| 最长访问时间： | 35 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J68 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | APPLICATION SPECIFIC SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 端口数量： | 2 |
| 端子数量： | 68 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QCCJ |
| 封装等效代码： | LDCC68,1.0SQ | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.0025 A |
| 最小待机电流： | 3 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.155 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 70V05L35JGI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V05L35JGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V05L35PFG | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V05L35PFG8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V05L35PFGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 |
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| 70V05L35PFGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V05L55G | IDT |
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PGA-68, Tray |
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| 70V05L55GG | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V05L55GG8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 70V05L55GGI | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
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