是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | QCCJ, LDCC68,1.0SQ |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.24 |
最长访问时间: | 35 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J68 | JESD-609代码: | e0 |
内存密度: | 65536 bit | 内存集成电路类型: | APPLICATION SPECIFIC SRAM |
内存宽度: | 8 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 68 | 字数: | 8192 words |
字数代码: | 8000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | QCCJ |
封装等效代码: | LDCC68,1.0SQ | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.0025 A |
最小待机电流: | 3 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.155 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | J BEND | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
70V05L35JGI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V05L35JGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V05L35PFG | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V05L35PFG8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V05L35PFGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PQFP64, TQFP-64 | |
70V05L35PFGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V05L55G | IDT |
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PGA-68, Tray | |
70V05L55GG | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V05L55GG8 | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
70V05L55GGI | IDT |
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HIGH-SPEED 3.3V 8K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |