Datasheet > 7016L35GB

7016L35GB

更新时间： 2024-11-20 18:15:59

品牌	Logo	应用领域
艾迪悌 - IDT		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	164K
描述
Application Specific SRAM, 16KX9, 35ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, PGA-68

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

7016L35GB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, PGA-68
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.92
最长访问时间：	35 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-CPGA-P68	JESD-609代码：	e0
内存密度：	147456 bit	内存集成电路类型：	APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度：	9	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	68
字数：	16384 words	字数代码：	16000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	16KX9
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	PGA	封装等效代码：	PGA68,11X11
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-PRF-38535	最大待机电流：	0.01 A
最小待机电流：	4.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.25 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	PIN/PEG	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	PERPENDICULAR	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
Base Number Matches：	1

7016L35GB 数据手册

HIGH-SPEED

16K X 9 DUAL-PORT

STATIC RAM

IDT7016S/L

◆

IDT7016 easily expands data bus width to 18 bits or more

using the Master/Slave select when cascading more than

one device

M/S = VIH for BUSY output flag on Master

M/S = VIL for BUSY input on Slave

Features

◆

True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous

reads of the same memory location

High-speed access

◆

– Commercial:12/15/20/25/35ns(max.)

– Industrial:20ns (max.)

◆

Busy and Interrupt Flag

On-chip port arbitration logic

– Military:20/25/35ns(max.)

Low-power operation

Full on-chip hardware support of semaphore signaling

between ports

Fully asynchronous operation from either port

TTL-compatible, single 5V (±10%) power supply

Available in ceramic 68-pin PGA, 68-pin PLCC, and an 80-

pin TQFP

Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available

for selected speeds

Green parts available, see ordering information

◆

– IDT7016S

◆

Active:750mW(typ.)

Standby: 5mW (typ.)

– IDT7016L

Active:750mW(typ.)

Standby: 1mW (typ.)

◆

FunctionalBlockDiagram

OEL

OER

CER

CEL

R/WR

R/W

I/O0L- I/O8L

I/O0R-I/O8R

I/O

Control

BUSY ^(1,2)

(1,2)

BUSY

13L

13R

Address

Decoder

MEMORY

ARRAY

Address

Decoder

ARBITRATION

INTERRUPT

SEMAPHORE

LOGIC

R/W

SEM

M/S

(2)

INTL

INT

3190 drw 01

NOTES:

1. In MASTER mode: BUSY is an output and is a push-pull driver

In SLAVE mode: BUSY is input.

2. BUSY outputs and INT outputs are non-tri-stated push-pull drivers.

JANUARY 2009

DSC 3190/10

12 3 4 5 6 7...20

中文翻译

下载PDF

与7016L35GB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
7016L35GG	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX9, 35ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, C
7016L35GG8	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX9, 35ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, C
7016L35GGB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX9, 35ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, C
7016L35GGB8	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM
7016L35GGBI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX9, 35ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, C
7016L35GGI	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM
7016L35GGI8	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM
7016L35JG	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM
7016L35JG8	IDT	获取价格	HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM
7016L35JGB	IDT	获取价格	Dual-Port SRAM, 16KX9, 35ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P

与7016L35GB相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

7016L35GB

7016L35GB 技术参数

7016L35GB 数据手册

与7016L35GB相关器件

与7016L35GB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

7016L35GB

7016L35GB 技术参数

7016L35GB 数据手册

与7016L35GB相关器件

与7016L35GB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？