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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | LCC |
| 包装说明： | QCCJ, LDCC68,1.0SQ | 针数： | 68 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.75 |
| 最长访问时间： | 25 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-PQCC-J68 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 24.2062 mm | 内存密度： | 147456 bit |
| 内存集成电路类型： | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 2 | 端子数量： | 68 |
| 字数： | 16384 words | 字数代码： | 16000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16KX9 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | QCCJ | 封装等效代码： | LDCC68,1.0SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 4.57 mm | 最大待机电流： | 0.005 A |
| 最小待机电流： | 4.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.22 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 24.2062 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 7016L25JG8 | IDT |
获取价格 |
HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016L25JGB | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016L25JGB8 | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016L25JGI | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016L25JGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016L25PFG | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016L25PFG8 | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016L25PFGB | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016L25PFGB8 | IDT |
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HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| 7016L25PFGBI | IDT |
获取价格 |
Dual-Port SRAM, 16KX9, 25ns, CMOS, PQFP80, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-80 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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