是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | PGA |
包装说明: | PGA, PGA68,11X11 | 针数: | 68 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.2 |
最长访问时间: | 35 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PPGA-P68 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 29.464 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 2 |
端子数量: | 68 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | PGA |
封装等效代码: | PGA68,11X11 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.683 mm |
最大待机电流: | 0.03 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.335 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | PIN/PEG |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 29.464 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7007S35GGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7007S35JB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, | |
7007S35JB8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PQCC68 | |
7007S35JG | IDT |
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HIGH-SPEED 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7007S35JG8 | IDT |
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HIGH-SPEED 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7007S35JGB | IDT |
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HIGH-SPEED 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7007S35JGB8 | IDT |
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HIGH-SPEED 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7007S35JGI | IDT |
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HIGH-SPEED 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7007S35JGI8 | IDT |
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Multi-Port SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, | |
7007S35JI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 32KX8, 35ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, |