是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | QCCJ, QFL68,.95SQ | 针数: | 68 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.09 |
最长访问时间: | 20 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | S-PQCC-J68 | JESD-609代码: | e3 |
内存密度: | 131072 bit | 内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 68 |
字数: | 16384 words | 字数代码: | 16000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QCCJ | 封装等效代码: | QFL68,.95SQ |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | CHIP CARRIER |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.015 A | 最小待机电流: | 4.5 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.29 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
7006S20FGB8 | IDT |
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HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7006S20FGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, PQCC68, 0.970 X 0.970 INCH, 0.080 INCH HEIGHT, GREEN, Q | |
7006S20FGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7006S20GG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, C | |
7006S20GGB8 | IDT |
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HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7006S20GGI | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, CPGA68, 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, GREEN, C | |
7006S20GGI8 | IDT |
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HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM | |
7006S20JB | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, PLASTIC, | |
7006S20JG | IDT |
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Dual-Port SRAM, 16KX8, 20ns, CMOS, PQCC68, 0.950 X 0.950 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, P | |
7006S20JGB8 | IDT |
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HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |