生命周期: | Obsolete | 包装说明: | R-PUFM-X5 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.84 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | BRIDGE, 6 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 1.3 V |
JESD-30 代码: | R-PUFM-X5 | 最大非重复峰值正向电流: | 1000 A |
元件数量: | 6 | 相数: | 3 |
端子数量: | 5 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 75 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 1600 V |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
6RI75G-160 | FUJI |
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POWER DIODE MODULE | |
6RI75G-160B | FUJI |
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Diode, | |
6RI75P-080 | FUJI |
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Diode, | |
6RI75P-160 | ETC |
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BRIDGE MODULE DIODE | |
6RJ11-6L-B | TE |
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Inductive Filtering Modular RJ Jacks | |
6RS15 | ETC |
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ELEMENT 28 MICRON S MEDIA | |
6RS3 | ETC |
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ELEMENT 4.6 MICRON S MEDIA | |
6RS7 | ETC |
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ELEMENT 11.2 MICRON S MEDIA | |
6RT411FT | ETC |
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THYRISTOR|GTO|4KV V(DRM)|TO-200VAR109 | |
6RT411HB | ETC |
获取价格 |
THYRISTOR|GTO|4.1KV V(DRM)|TO-200VAR109 |