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6RI30E-06

更新时间: 2024-09-30 14:40:07
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
1页 45K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 30A, 600V V(RRM), Silicon,

6RI30E-06 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PUFM-D5
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.1 V
JESD-30 代码:R-PUFM-D5最大非重复峰值正向电流:360 A
元件数量:6相数:3
端子数量:5最高工作温度:150 °C
最大输出电流:30 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:600 V
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

6RI30E-06 数据手册

  

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