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6RI100G-120

更新时间: 2024-09-29 22:06:07
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富士电机 - FUJI 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 131K
描述
POWER DIODE MODULE

6RI100G-120 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:MODULE
包装说明:R-XUFM-X5针数:5
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.82Is Samacsys:N
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:R-XUFM-X5
最大非重复峰值正向电流:1200 A元件数量:6
相数:3端子数量:5
最高工作温度:150 °C最大输出电流:100 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1200 V子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

6RI100G-120 数据手册

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