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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | R-PUFM-X5 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.15 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X5 | 最大非重复峰值正向电流： | 1200 A |
| 元件数量： | 6 | 相数： | 3 |
| 端子数量： | 5 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 100 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6RI100E-060 | FUJI |
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POWER DIODE MODULE |
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| 6RI100E-08 | FUJI |
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Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 100A, 800V V(RRM), Silicon |
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| 6RI100E-080 | FUJI |
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POWER DIODE MODULE |
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| 6RI100E-100A | FUJI |
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POWER DIODE MODULE |
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| 6RI100G | FUJI |
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POWER DIODE MODULE |
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| 6RI100G-100A | FUJI |
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POWER DIODE MODULE |
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| 6RI100G-12 | FUJI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 100A, 1200V V(RRM), Silicon |
|
| 6RI100G-120 | FUJI |
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POWER DIODE MODULE |
|
| 6RI100G-1200V | FUJI |
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POWER DIODE MODULE |
|
| 6RI100G-120B | FUJI |
获取价格 |
Diode, |
|
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