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Datasheet > 晶体管 > IGBT> 6R1MBI100P-160
6R1MBI100P-160 PDF预览

6R1MBI100P-160

更新时间： 2024-01-30 14:32:58
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富士电机 - FUJI 晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 141K
描述
Diode Module with Brake

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6R1MBI100P-160 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X11针数：11
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：75 A集电极-发射极最大电压：1400 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THREE PHASE DIODE BRIDGEJESD-30 代码：R-XUFM-X11
元件数量：1端子数量：11
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：450 ns标称接通时间 (ton)：350 ns
Base Number Matches：1

6R1MBI100P-160 数据手册

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Diode Module  
6R1MBi100P-160  
Diode Module with Brake  
Diode:1600V / 100A, IGBT:1400A/75A  
Features  
· Compact Package  
· P.C. Board Mount Module  
· Converter Diode Bridge Dynamic Brake Circuit  
Applications  
· Inverter for Motor Drive  
· AC and DC Servo Drive Amplifier  
· Uninterruptible Power Supply  
Maximum ratings and characteristics  
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless without specified)  
Item  
Symbol  
VRRM  
VRSM  
IO  
Condition  
Rating  
1600  
Unit  
V
Repetitive peak reverse voltage  
Non-repetitive peak reverse voltage  
Average output current  
1760  
100  
V
50Hz/60Hz sine wave  
Tc=110°C  
A
One cycle surge current  
I2t  
From rated load  
From rated load  
1000  
4000  
IFSM  
I2t  
A
A2s  
Operation junction temperature  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
Collector current  
-40 to +125  
1400  
Tj  
°C  
V
VCES  
VGES  
IC  
±20  
V
DC  
Tc=25°C  
75  
A
Tc=75°C  
Tc=25°C  
Tc=75°C  
50  
1ms  
150  
ICP  
A
100  
Collector power disspation  
1 device  
360  
PC  
W
V
Repetitive peak reverse voltage  
Operation junction temperature  
1400  
VRRM  
Tj  
+150  
°C  
°C  
V
AC : 1 minute  
M5 screw  
-40 to +125  
2500  
Tstg  
Viso  
Storage junction temperature  
Isolation voltage  
2.0 to 2.5  
N·m  
Mounting screw torque  
Electrical characteristics (Tj=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
1.30  
20  
Unit  
Fofward voltage  
VFM  
V
Tj=25°C, IFM=100A  
Tj=150°C, VR=VRRM  
VGE=0V. VCE=1400V  
VCE=0V. VGE=±20V  
VGE=15V. IC=50A  
Vcc=800V  
Reverse current  
IRRM  
ICES  
IGES  
VCE(sat)  
ton  
mA  
mA  
nA  
V
Zero gate voltage Collector current  
Gate-Emitter leakage current  
Collector-Emitter saturation voltage  
Turn-on time  
1.0  
200  
2.8  
2.4  
0.35  
0.25  
0.45  
0.08  
1.2  
µs  
tr  
0.6  
Ic=50A  
Turn-off time  
toff  
tf  
1.0  
VGE=±15V  
0.3  
RG=25ohm  
Reverse current  
IRRM  
1.0  
mA  
Thermal characteristics  
Item  
Symbol  
Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.14  
0.84  
0.55  
0.08  
Unit  
Converter Per total loss  
Per each device  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(j-c)  
Brake IGBT (1 device)  
with thermal compound  
°C/W  
Thermal Resistance(Case to fine)  
Rth(c-f)  
1234

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与6R1MBI100P-160相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
6R1MBI75P-080 FUJI

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 		Diode,
6R1MBI75P-160 FUJI

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 		Diode Module with Brake
6R1TI30Y060 FUJI

获取价格

 		Trigger Device
6R1TI30Y-080 FUJI

获取价格

 		DIODE AND TYRISTOR MODULE
6R1YI30Y-080 FUJI

获取价格

 		DIODE and TYRISTOR MODULE
6R200 ETC

获取价格

 		SCHOTTKY RECTIERS SILICON RECTIFIER DIODES
6R300 ETC

获取价格

 		SCHOTTKY RECTIERS SILICON RECTIFIER DIODES
6R3LSH102A12 RUBYCON

获取价格

 		Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 6.3V, 50% +Tol, 10% -Tol, 1000uF
6R3LSH153E12 RUBYCON

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 		Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 6.3V, 50% +Tol, 10% -Tol, 15000uF
6R3LSH222A5 RUBYCON

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 		Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum, 6.3V, 50% +Tol, 10% -Tol, 2200uF

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