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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X22 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | COMPLEX | JESD-30 代码： | R-PUFM-X22 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 22 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 3600 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 300 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6MBP75RA060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT-IPM(600V/75A) |
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| 6MBP75RA-060 | ETC |
获取价格 |
6 IPM IGBT |
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| 6MBP75RA060_00 | FUJI |
获取价格 |
IGBT-IPM |
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| 6MBP75RA120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT-IPM(1200V/75A) |
|
| 6MBP75RA-120 | FUJI |
获取价格 |
Intelligent Power Module ( R-Series ) |
|
| 6MBP75RJ120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT IPM R-series 1200V class |
|
| 6MBP75RJ-120 | ETC |
获取价格 |
IGBTs |
|
| 6MBP75RTB060 | FUJI |
获取价格 |
IPM-R3 |
|
| 6MBP75RTB-060 | ETC |
获取价格 |
6 IPM IGBT |
|
| 6MBP75RTE060 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
|
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