生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X19 |
针数: | 19 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOW SATURATION VOLTAGE | 最大集电极电流 (IC): | 50 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | JESD-30 代码: | R-XUFM-X19 |
元件数量: | 6 | 端子数量: | 19 |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 1500 ns |
标称接通时间 (ton): | 800 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
6MBI50F-120 | FUJI |
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IGBT(1200V 50A) | |
6MBI50FA060 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | |
6MBI50FA-060 | ETC |
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6MBI50J060 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | |
6MBI50J120 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | |
6MBI50L-060 | FUJI |
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IGBT(600V 50A) | |
6MBI50L-120 | FUJI |
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IGBT(1200V 50A) | |
6MBI50PC-120 | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | |
6MBI50PC-120L | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | |
6MBI50S-060 | ETC |
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6 PACK IGBT |