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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.73 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 50 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 门极-发射极最大电压： | 6 V |
| 元件数量： | 6 | 最大功率耗散 (Abs)： | 400 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | VCEsat-Max： | 5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6MBI50F-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(600V 50A) |
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| 6MBI50F-120 | FUJI |
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IGBT(1200V 50A) |
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| 6MBI50FA060 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
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| 6MBI50FA-060 | ETC |
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| 6MBI50J060 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) |
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| 6MBI50J120 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) |
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| 6MBI50L-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(600V 50A) |
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| 6MBI50L-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT(1200V 50A) |
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| 6MBI50PC-120 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| 6MBI50PC-120L | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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