生命周期: | Contact Manufacturer | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.72 |
Is Samacsys: | N | 最大集电极电流 (IC): | 50 A |
集电极-发射极最大电压: | 600 V | 门极-发射极最大电压: | 6 V |
元件数量: | 6 | 最大功率耗散 (Abs): | 250 W |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | VCEsat-Max: | 5 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
6MBI50-120 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | |
6MBI50F-060 | FUJI |
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IGBT(600V 50A) | |
6MBI50F-120 | FUJI |
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IGBT(1200V 50A) | |
6MBI50FA060 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | |
6MBI50FA-060 | ETC |
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6MBI50J060 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 50A I(C) | |
6MBI50J120 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | |
6MBI50L-060 | FUJI |
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IGBT(600V 50A) | |
6MBI50L-120 | FUJI |
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IGBT(1200V 50A) | |
6MBI50PC-120 | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |