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6MBI200FB-060

更新时间： 2024-01-04 11:41:13

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		双极性晶体管
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5页	149K
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IGBT MODULE

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6MBI200FB-060 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X11
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	200 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-PUFM-X11
元件数量：	6	端子数量：	11
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	500 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1500 ns	标称接通时间 (ton)：	1500 ns
VCEsat-Max：	2.5 V

6MBI200FB-060 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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6MBI200XBE120-50	FUJI	6-Pack(6 in 1) M668	获取价格
6MBI200XXA120-50	FUJI	6-Pack(6 in 1) M648	获取价格
6MBI200XXE120-50	FUJI	6-Pack(6 in 1) M648	获取价格
6MBI20F-060	FUJI	IGBT(600V 20A)	获取价格
6MBI20GS-060	FUJI	IGBT(600V 20A)	获取价格

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