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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | MODULE | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13 |
| 针数： | 35 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 100 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X13 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 13 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 520 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 530 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 390 ns | VCEsat-Max： | 2.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6MBI100VX-170-50 | FUJI |
获取价格 |
6-Pack(6 in 1) M648 |
|
| 6MBI100XAE120-50 | FUJI |
获取价格 |
6-Pack(6 in 1) M669 |
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| 6MBI100XBA120-50 | FUJI |
获取价格 |
6-Pack(6 in 1) M668 |
|
| 6MBI100XWE120-50 | FUJI |
获取价格 |
6-Pack(6 in 1) M647 |
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| 6MBI100XXA120-50 | FUJI |
获取价格 |
6-Pack(6 in 1) M648 |
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| 6MBI10F-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT (600V 10A) |
|
| 6MBI10GS-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( Single-in-Line ) |
|
| 6MBI10L-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE(600V 10A) |
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| 6MBI10LS060 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 10A I(C) |
|
| 6MBI10PC-120L | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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