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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21 | 针数： | 35 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.71 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 100 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X21 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 21 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 520 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 530 ns | 标称接通时间 (ton)： | 390 ns |
| VCEsat-Max： | 2.75 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 6MBI150VB-060-50 | FUJI |
完全替代  |
IGBT MODULE |
|
| 6MBI150VB-120-50 | FUJI |
功能相似 |
IGBT MODULE |
|
| 6MBI180VB-120-50 | FUJI |
功能相似 |
IGBT MODULE |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6MBI100VW-060-50 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
|
| 6MBI100VW-120-50 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
|
| 6MBI100VX-120-50 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE (V series) 1200V / 100A / 6 in one package |
|
| 6MBI100VX-170-50 | FUJI |
获取价格 |
6-Pack(6 in 1) M648 |
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| 6MBI100XAE120-50 | FUJI |
获取价格 |
6-Pack(6 in 1) M669 |
|
| 6MBI100XBA120-50 | FUJI |
获取价格 |
6-Pack(6 in 1) M668 |
|
| 6MBI100XWE120-50 | FUJI |
获取价格 |
6-Pack(6 in 1) M647 |
|
| 6MBI100XXA120-50 | FUJI |
获取价格 |
6-Pack(6 in 1) M648 |
|
| 6MBI10F-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT (600V 10A) |
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| 6MBI10GS-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( Single-in-Line ) |
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