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6MBI100U4B-120

更新时间: 2024-09-19 03:06:23
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
13页 466K
描述
IGBT MODULE

6MBI100U4B-120 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:MODULE
包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35针数:35
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.71
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):150 A
集电极-发射极最大电压:1200 V配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码:R-XUFM-X35元件数量:6
端子数量:35最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):410 ns
标称接通时间 (ton):320 nsBase Number Matches:1

6MBI100U4B-120 数据手册

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SPECIFICATION  
IGBT MODULE  
Device Name :  
6MBI100U4B-120  
MS5F 6012  
Type Name  
:
Spec. No. :  
S.Miyashita  
Jan. 18 05  
Jan. 18 05  
Y.Seki  
T.Miyasaka  
K.Yamada  
1
MS5F6012  
13  
H04-004-07b  

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