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Datasheet > 晶体管 > IGBT> 6MBI100S-120
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6MBI100S-120

更新时间： 2024-11-07 22:06:11
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富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 514K
描述
IGBT MODULE(S series)

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6MBI100S-120 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X39针数：21
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：150 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：R-XUFM-X39元件数量：6
端子数量：39封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：530 ns
标称接通时间 (ton)：600 nsBase Number Matches：1

6MBI100S-120 数据手册

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IGBT Modules  
6MBI100S-120  
IGBT MODULE ( S series)  
1200V / 100A 6 in one-package  
Features  
· Compact package  
· P.C.board mount  
· Low VCE(sat)  
Applications  
· Inverter for motor drive  
· AC and DC servo drive amplifier  
· Uninterruptible power supply  
· Industrial machines, such as welding machines  
Maximum ratings and characteristics  
Absolute maximum ratings (Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VCES  
VGES  
IC  
Unit  
V
Rating  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
Collector Continuous Tc=25°C  
Equivalent Circuit Schematic  
1200  
V
±20  
21(P)  
13(P)  
A
150  
current  
Tc=80°C  
100  
1(Gu)  
5(Gv)  
9(Gw)  
1ms  
Tc=25°C IC pulse  
Tc=80°C  
A
300  
200  
100  
2(Eu)  
6(Ev)  
10(Ew)  
-IC  
A
19(U)  
17(V)  
15(W)  
1ms  
-IC pulse  
A
200  
3(Gx)  
4(Ex)  
7(Gy)  
8(Ey)  
11(Gz)  
12(Ez)  
Max. power dissipation (1 device)  
Operating temperature  
Storage temperature  
Isolation voltage  
PC  
W
°C  
°C  
V
700  
Tj  
+150  
Tstg  
-40 to +125  
AC 2500 (1min.)  
3.5  
14(N)  
20(N)  
Vis  
Screw torque  
Mounting *1  
N·m  
*1 : Recommendable value : 2.5 to 3.5 N·m (M5)  
Electrical characteristics (Tj=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
Characteristics  
Conditions  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
1.0  
0.2  
8.5  
2.6  
–
ICES  
–
–
–
–
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
VGE=0V, VCE=1200V  
VCE=0V, VGE=±20V  
VCE=20V, IC=100mA  
mA  
µA  
V
IGES  
VGE(th)  
VCE(sat)  
5.5  
7.2  
Gate-Emitter threshold voltage  
Collector-Emitter saturation voltage  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2.3  
2.8  
Tj=25°C VGE=15V, IC=100A  
Tj=125°C  
V
Cies  
Coes  
Cres  
ton  
tr  
12000  
2500  
2200  
0.35  
0.25  
0.1  
–
Input capacitance  
VGE=0V  
pF  
µs  
–
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time  
VCE=10V  
–
f=1MHz  
1.2  
0.6  
–
VCC=600V  
IC=100A  
tr(i)  
toff  
tf  
VGE=±15V  
RG=12Ω  
0.45  
0.08  
2.5  
1.0  
0.3  
3.3  
–
Turn-off time  
VF  
Diode forward on voltage  
Reverse recovery time  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
IF=100A  
IF=100A, VGE=0V  
V
2.0  
trr  
–
0.35  
µs  
Thermal resistance characteristics  
Item  
Symbol  
Characteristics  
Conditions  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.18  
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
Rth(c-f)*2  
IGBT  
FWD  
–
–
–
–
–
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal resistance  
0.36  
–
the base to cooling fin  
0.05  
*2 : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound  
1234

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