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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 75 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | JESD-30 代码： | R-XUFM-X17 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 17 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 450 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 350 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6MB175S-140 | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1400V V(BR)CES, N-Channel |
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| 6MBI100-060 | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES |
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| 6MBI10-060 | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES |
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| 6MBI100F060 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C) |
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| 6MBI100F-060 | FUJI |
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IGBT MODULE |
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| 6MBI100FA060 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C) |
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| 6MBI100FA-060 | FUJI |
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IGBT MODULE |
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| 6MBI100J060 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C) |
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| 6MBI100L-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE(L series) |
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| 6MBI100S-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT Module |
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