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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3 |
| 针数： | 15 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.81 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | COMPLEX |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | 最大降落时间（tf）： | 1000 ns |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X3 | 元件数量： | 6 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 120 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 1000 ns | 子类别： | BIP General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 14000 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 1000 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| KED24502 | POWEREX |
功能相似  |
Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CEO, 6-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| QM20TD-H | MITSUBISHI |
功能相似 |
MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 6DI20MS-050 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 20A I(C) |
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| 6DI30A-050 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | DARLINGTON | 600V V(BR)CEO | 30A I(C) |
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| 6DI30A-120 | FUJI |
获取价格 |
POWER TRANSISTOR MODULE |
|
| 6DI30B-050 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | DARLINGTON | 600V V(BR)CEO | 30A I(C) |
|
| 6DI30M-050 | ETC |
获取价格 |
|
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| 6DI30M-120 | ETC |
获取价格 |
|
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| 6DI30MA-050 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | DARLINGTON | 600V V(BR)CEO | 30A I(C) |
|
| 6DI30Z100 | FUJI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 1-Element |
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| 6DI30Z120 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 30A I(C) |
|
| 6DI30Z-120 | FUJI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 30A I(C), 1200V V(BR)CEO, 6-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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