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6A10-G

更新时间： 2024-09-24 03:05:39

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上华 - COMCHIP		二极管
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General Purpose Rectif

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6A10-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-PALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	1.57	应用：	GENERAL PURPOSE
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1 V	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	300 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	6 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	1000 V
最大反向电流：	10 µA	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

6A10-G 数据手册

General Purpose Rectifiers

6A05-G THRU 6A10-G (RoHS Device)

Voltage Range 50 to 1000 V

Current 6.0 Ampere

P600

Features

.052(1.3)

.048(1.2)

DIA.

ꢀ Low forward voltage drop

ꢀ High current capability

1.0(25.4)

MIN.

ꢀ Low reverse leakage current

ꢀ High surge current capability

Mechanical Data

.360(9.1)

.340(8.6)

.360(9.1)

DIA.

ꢀ Case: Molded plastic P600

ꢀ Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

ꢀ Terminals: Solderable per MIL-STD-202

method 208 guaranteed

.340(8.6)

1.0(25.4)

MIN.

Dimensions in inches and (millimeters)

ꢀ Polarity:Color band denotes cathode end

ꢀ Mounting position: Any

ꢀ Weight: 2.1 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25^o

ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

SYMBOL

6A2-G 6A4-G 6A6-G 6A8-G 6A10-G UNIT

6A05

6A1-G

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

Maximum Average Forward Rectified

Current TL=50^oC

I(AV)

IFSM

6.0

250

1.1

Peak Forward Surge Current, 8.3ms single

Half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC method)

Maximum Instantaneous Forward Voltage

@ 6.0 A

Maximum DC Reverse Current @TJ=25^oC

At Rated DC Blocking Voltage @TJ=100^oC

5.0

500

Typical junction Capacitance (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

100

^oC/W

Operating Junction and Storage

Temperature Range

^oC

TJ,TSTG

-55 to +125

NOTES : (1) Thermal Resistance junction to lead.

(2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.

Comchip Technology Corporation Tel: 510-657-8671 Fax: 510-657-8921 www.comchiptech.com

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6A10-G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
6A10-TP	MCC	功能相似	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R
6A10-T	DIODES	功能相似	6.0A SILICON RECTIFIER

与6A10-G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
6A10G-AP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R
6A10G-BP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R
6A10-GT3	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN
6A10G-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R
6A10GV	RECTRON	获取价格	Reverse Voltage Vr : 1000 V;Forward Current Io : 6.0 A;Max Surge Current : 500 A;Forward V
6A10GV-F	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode,
6A10H41	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon,
6A10H42	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon,
6A10H43	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon,
6A10M	DCCOM	获取价格	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER

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