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6264C35M/BUAJC

更新时间: 2024-01-22 16:33:04
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摩托罗拉 - MOTOROLA 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 405K
描述
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC32

6264C35M/BUAJC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCN, LCC32,.45X.55Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:35 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-XQCC-N32
JESD-609代码:e0内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:32字数:8192 words
字数代码:8000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:8KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC32,.45X.55封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:38535Q/M;38534H;883B最大待机电流:0.02 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
Base Number Matches:1

6264C35M/BUAJC 数据手册

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