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6229A100M/BUAJC

更新时间: 2023-06-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 436K
描述
IC,SRAM,256KX4,CMOS,LLCC,CERAMIC

6229A100M/BUAJC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:QCCN, LCC(UNSPEC)Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:100 ns
I/O 类型:COMMONJESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:256KX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC(UNSPEC)封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流:0.03 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.11 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子位置:QUADBase Number Matches:1

6229A100M/BUAJC 数据手册

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