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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 60S10
60S10 PDF预览

60S10

更新时间： 2024-11-06 22:08:15
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
2页 86K
描述
Rectifier 50 - 1000 Volts 6 Amp Axial-Lead Glass Passivated

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60S10 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-201AD包装说明：PLASTIC PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.17应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：6 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

60S10 数据手册

 浏览型号60S10的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
60S05  
thru  
60S10  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
6 Amp Axial-Lead  
·
·
·
·
·
Glass Passivated Chip  
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Surge Current Capability  
Low Leakage  
Glass Passivated  
Rectifier  
50 - 1000 Volts  
Maximum Ratings  
DO-201AD  
·
·
Operating Junction Temperature: -65°C to +175°C  
Storage Temperature: -65°C to +175°C  
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Reccurrent  
Peak  
Reverse  
Voltage  
50V  
100V  
200V  
400V  
600V  
800V  
1000V  
Maximum Maximum  
RMS  
DC  
Voltage  
Blocking  
Voltage  
D
60S05  
60S1  
60S2  
60S4  
60S6  
60S8  
60S10  
60S05  
60S1  
60S2  
60S4  
60S6  
60S8  
60S10  
35V  
70V  
50V  
100V  
200V  
400V  
600V  
800V  
1000V  
140V  
280V  
420V  
560V  
700V  
A
Cathode  
Mark  
B
D
C
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
6.0A  
TA = 100°C  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
200A  
8.3ms, half sine  
Maximum  
DIMENSIONS  
Instantaneous  
Forward Voltage  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
VF  
IR  
1.0V  
IFM = 6.0A;  
TJ = 25°C*  
INCHES  
MIN  
---  
---  
.048  
1.000  
MM  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.370  
.250  
.052  
---  
MAX  
9.50  
6.40  
1.30  
---  
NOTE  
---  
---  
5mA  
TJ = 25°C  
1.20  
25.40  
100mA TJ = 100°C  
Typical Junction  
Capacitance  
CJ  
150pF  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 1%  
www.mccsemi.com  
12

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60S10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
6A10-T RECTRON

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 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, R-6, 2 PIN
6A10 DIODES

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 6.0A SILICON RECTIFIER

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60-S10 JST

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