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5KP9.0A/4G-E3

更新时间： 2024-11-23 06:32:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网二极管电视
页数 文件大小 规格书
6页 108K
描述
DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Suppressor

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5KP9.0A/4G-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.66最大击穿电压：11.1 V
最小击穿电压：10 V外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值反向功率耗散：5000 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：8 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：9 V
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE

5KP9.0A/4G-E3 数据手册

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5KP5.0 thru 5KP188A  
Vishay Semiconductors  
formerly General Semiconductor  
®
TRANSZORB Transient Voltage Suppressors  
Stand-off Voltage 5.0 to 188 V  
Peak Pulse Power 5000 W  
Features  
• Glass passivated junction  
• 5000 W peak pulse power capability with a  
10/1000 µs waveform, repetition rate (duty cycle):  
0.05 %  
• Excellent clamping capability  
• Low incremental surge resistance  
• Very fast response time  
• Devices with V(BR) > 10 V ID are typically less than  
Mechanical Data  
Case: Molded plastic body over glass passivated  
junction. Epoxy meets UL 94V-0 Flammability rating  
1.0 µA  
• Available in uni-directional polarity only  
• Meets MSL level 1 per J-STD-020C  
• AEC-Q101 qualified  
Terminals: Solder plated or matte tin plated  
(E3 Suffix) leads, Solderable per J-STD-002B and  
Mil-STD-750, Method 2026  
High temperature soldering guaranteed:  
265 °C/10 seconds, 0.375" (9.5 mm) lead length,  
5 lbs. (2.3 kg) tension  
Polarity: The color band denotes the cathode, which  
is positive with respect to the anode under normal  
TVS operation  
Maximum Ratings and Characteristics  
Ratings 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Peak pulse power dissipation  
Test condition  
Symbol  
Value  
5000  
Unit  
W
(1)  
P
10/1000 µs waveform  
10/1000 µs waveform  
PPM  
(1)  
Peak pulse current  
I
See next table  
8.0  
A
PPM  
Steady state power dissipation lead lengths 0.375“ (9.5 mm),  
P
W
M(AV)  
(2)  
T = 75 °C  
L
(3)  
Peak forward surge current  
I
600  
3.5  
A
V
8.3 ms single half sine-wave  
FSM  
(3)  
Instantaneous forward voltage  
V
F
100 A  
Operating junction and storage  
temperature range  
T , T  
-55 to +175  
°C  
J
STG  
Notes:  
(1) Non-repetitive current pulse, per Fig. 3 and derated above T = 25 °C per Fig. 2.  
A
(2) Mounted on copper pad area of 1.6 x 1.6" (40 x 40 mm) per Fig. 5.  
(3) Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum  
Document Number 88308  
Rev. 1.2, 27-Oct-04  
www.vishay.com  
1
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与5KP9.0A/4G-E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
5KP9.0A/4H VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLAS
5KP9.0A/4H-E3 VISHAY

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 		DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup
5KP9.0A/56-E3 VISHAY

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 		DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup
5KP9.0A/62-E3 VISHAY

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 		DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup
5KP9.0A/65-E3 VISHAY

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 		DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup
5KP9.0A/66 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLAS
5KP9.0A/68 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLAS
5KP9.0A/68-E3 VISHAY

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 		DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup
5KP9.0A/70 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 9V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, PLAS
5KP9.0A/70-E3 VISHAY

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 		DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup

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