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5KP9.0A-B

更新时间: 2024-02-26 19:22:01
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美台 - DIODES 局域网二极管
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1页 175K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, Unidirectional, 1 Element, Silicon

5KP9.0A-B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.62Is Samacsys:N
其他特性:LOW ZENER IMPEDANCE最大击穿电压:11.1 V
最小击穿电压:10 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3最大非重复峰值反向功率耗散:5000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):265
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:8 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

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