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5KP8.5C-5RE3

更新时间: 2024-09-24 14:02:59
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 113K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 8.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

5KP8.5C-5RE3 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PBCY-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.62
Is Samacsys:N最大击穿电压:11.5 V
最小击穿电压:9.44 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PBCY-W2最大非重复峰值反向功率耗散:5000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W最大重复峰值反向电压:8.5 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1

5KP8.5C-5RE3 数据手册

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