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5KP6.0C-5A

更新时间: 2024-09-14 10:09:15
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 110K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon

5KP6.0C-5A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-PALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.35最大击穿电压:8.15 V
最小击穿电压:6.67 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:11.4 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1最大非重复峰值反向功率耗散:5000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:6 V
最大反向电流:5000 µA表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

5KP6.0C-5A 数据手册

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