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5KP33E3

更新时间: 2024-09-24 19:33:07
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美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
10页 526K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode

5KP33E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.62
最大击穿电压:44.9 V最小击穿电压:36.7 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-PALF-W2最大非重复峰值反向功率耗散:5000 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:8 W参考标准:IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5
最大重复峰值反向电压:33 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

5KP33E3 数据手册

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