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5KP30C

更新时间： 2024-09-16 17:32:35
品牌 Logo 应用领域
RECTRON /
页数 文件大小 规格书
4页 971K
描述
Package / Case : R-6;Mounting Style : Through Hole;Power Rating : 5000 W;Polarity : Bidirectional;Breakdown Voltage Vbr : 37 V;Operating Standoff Voltage : 30 V;Clamping Voltage Vc : 53.5 V;Max Peak Current Ipk : 93.5 A;Voltage Tolerance : 10%

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5KP30C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：PLASTIC, R-6, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.28最大击穿电压：40.7 V
最小击穿电压：33.3 V击穿电压标称值：37 V
外壳连接：ISOLATED最大钳位电压：53.5 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值反向功率耗散：5000 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：265
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：8 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

5KP30C 数据手册

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TVS  
5KP  
RECTRON  
TECHNICALSPECIFICATION  
SEMICONDUCTOR  
SERIES  
GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR  
5000 WATT PEAK POWER 5.0 WATT STEADY STATE  
FEATURES  
* Plastic package has underwriters laboratory  
* Glass passivated chip construction  
* 5000 watt surage capability at 1ms  
* Excellent clamping capability  
* Low zener impedance  
R-6  
* Fast response time  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load,  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS  
For Bidirectional use C or CA suffix for types 5KP5.0 thru 5KP110  
Electrical characteristics apply in both direction  
MAXIMUM RATINGS (At T  
A
= 25oC unless otherwise noted)  
SYMBOL  
VALUE  
UNITS  
RATINGS  
Peak Pulse Power Dissipation with a 10/1000uS  
waveform (Note 1, FIG.1)  
P
PPM  
Minimum 5000  
SEE TABLE 1  
Watts  
Amps  
Peak Pulse Current with a 10/1000uS waveform (Note 1, Fig. 3)  
IPPM  
Steady State Power Dissipation at T  
0.375” (9.5mm) (Note 2)  
L
= 75oC lead lengths  
P
M(AV)  
8.0  
Watts  
Amps  
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half sine wave-  
superimposed on rated load( JEDEC METHOD ) (Note 3)  
I
FSM  
400  
Instantaneous Forward Voltage at 100A, (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
V
F
3.5  
Volts  
0 C  
T
J
, TSTG  
-55 to + 175  
1998-8  
NOTES : 1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T  
A
= 25oC per Fig.2.  
2. Mounted on copper pad area of 0.8 X 0.8” ( 20 X 20mm ) per Fig. 5  
3. Measured on 8.3mS single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.  
Back  
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与5KP30C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
5KP30C/1 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLAS
5KP30C/1-E3 VISHAY

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 		DIODE 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, P600, 2 PIN, Transient Suppresso
5KP30C/23-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, P600, 2 PIN, Transient Suppresso
5KP30C/4-E3 VISHAY

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 		DIODE 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, P600, 2 PIN, Transient Suppresso
5KP30C-13 DIODES

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
5KP30C-2 CRYDOM

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5KP30C-5AE3 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
5KP30C-5R MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
5KP30C-5RE3 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
5KP30CA NJSEMI

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 		Diode TVS Single Bi-Dir 30V 5KW 2-Pin Case P600 T/R

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