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5KP30C

更新时间： 2024-09-16 14:49:11
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6页 97K
描述
Axial

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5KP30C 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.28最大击穿电压：42.2 V
最小击穿电压：33.3 V击穿电压标称值：37 V
外壳连接：ISOLATED最大钳位电压：53.5 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值反向功率耗散：5000 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：BIDIRECTIONAL最大功率耗散：8 W
最大重复峰值反向电压：30 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

5KP30C 数据手册

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®
5KP SERIES  
5000W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Glass Passivated Die Construction  
5000W Peak Pulse Power Dissipation  
5.0V – 440V Standoff Voltage  
Uni- and Bi-Directional Versions Available  
Excellent Clamping Voltage  
Typical Response Time < 1nS  
Plastic Case Material has UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
A
B
A
C
Mechanical Data  
D
Case: P-600, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band Except Bi-Directional  
Weight: 2.10 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 6  
P-600  
Dim  
A
Min  
25.4  
8.60  
1.20  
8.60  
Max  
—
B
9.10  
1.30  
9.10  
C
D
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000µS Waveform (Note 1, 2, 5)  
Peak Pulse Current on 10/1000µS Waveform (Note 1)  
Peak Forward Surge Current (Note 2, 3)  
PPPM  
IPPM  
IFSM  
VF  
5000  
See Table 1  
400  
W
A
A
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 100A (Note 3, 4)  
Power Dissipation at TL = 75°C (Note 2)  
3.5 / 5.0  
8.0  
V
PD  
W
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 2)  
Typical Thermal Resistance, Junction to Lead (Note 2)  
RθJA  
RθJL  
40  
8.0  
°C/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Non-repetitive current pulse per Figure 5 and derated above TA = 25°C per Figure 1.  
2. Mounted on 20 x 20 x 1.0mm thick copper pads to each terminal that maintained at a distance of 9.5mm from the case.  
3. Measured on 8.3ms single half sine-wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum. For uni-directional devices only.  
4. VF < 3.5V for VBR ≤ 200V and VF < 5.0V for VBR ≥ 201V.  
5. Peak pulse power waveform is 10/1000µS.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
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与5KP30C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
5KP30C/1 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLAS
5KP30C/1-E3 VISHAY

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 		DIODE 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, P600, 2 PIN, Transient Suppresso
5KP30C/23-E3 VISHAY

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 		DIODE 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, P600, 2 PIN, Transient Suppresso
5KP30C/4-E3 VISHAY

获取价格

 		DIODE 5000 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, P600, 2 PIN, Transient Suppresso
5KP30C-13 DIODES

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
5KP30C-2 CRYDOM

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, Bidirectional, 1 Element, Silicon
5KP30C-5AE3 MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
5KP30C-5R MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
5KP30C-5RE3 MICROSEMI

获取价格

 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
5KP30CA NJSEMI

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 		Diode TVS Single Bi-Dir 30V 5KW 2-Pin Case P600 T/R

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