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5KP110C

更新时间： 2024-09-11 14:49:11

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Axial

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5KP110C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.17	Is Samacsys：	N
最大击穿电压：	154.5 V	最小击穿电压：	122 V
击穿电压标称值：	135.5 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	196 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值反向功率耗散：	5000 W	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	8 W	最大重复峰值反向电压：	110 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

5KP110C 数据手册

5KP SERIES

5000W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

WON-TOP ELECTRONICS

Features



Glass Passivated Die Construction



5000W Peak Pulse Power Dissipation

5.0V – 440V Standoff Voltage

Uni- and Bi-Directional Versions Available

Excellent Clamping Voltage

Typical Response Time < 1nS

Plastic Case Material has UL Flammability

Classification Rating 94V-0

Mechanical Data



Case: P-600, Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

Polarity: Cathode Band Except Bi-Directional

Weight: 2.10 grams (approx.)

Mounting Position: Any

Marking: Type Number

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 6

P-600

Dim

Min

25.4

8.60

1.20

8.60

Max

—



9.10

1.30

9.10

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics @T_A=25°C unless otherwise specified

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000µS Waveform (Note 1, 2, 5)

Peak Pulse Current on 10/1000µS Waveform (Note 1)

Peak Forward Surge Current (Note 2, 3)

PPPM

IPPM

IFSM

5000

See Table 1

400

Maximum Instantaneous Forward Voltage at 100A (Note 3, 4)

Power Dissipation at T_L= 75°C (Note 2)

3.5 / 5.0

8.0

Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 2)

Typical Thermal Resistance, Junction to Lead (Note 2)

RθJA

RθJL

8.0

°C/W

°C

Operating and Storage Temperature Range

TJ, TSTG

-55 to +150

Note: 1. Non-repetitive current pulse per Figure 5 and derated above T_A= 25°C per Figure 1.

2. Mounted on 20 x 20 x 1.0mm thick copper pads to each terminal that maintained at a distance of 9.5mm from the case.

3. Measured on 8.3ms single half sine-wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum. For uni-directional devices only.

4. V_F< 3.5V for V_BR≤ 200V and V_F< 5.0V for V_BR≥ 201V.

5. Peak pulse power waveform is 10/1000µS.

Revision: September, 2012

www.wontop.com

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