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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> 5KP110A-BP
5KP110A-BP PDF预览

5KP110A-BP

更新时间： 2024-01-11 11:13:06
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 102K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-6, 2 PIN

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5KP110A-BP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, R-6, 2 PIN
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.13其他特性：UL RECOGNIZED
最大击穿电压：135 V最小击穿电压：122 V
击穿电压标称值：128.5 V外壳连接：ISOLATED
最大钳位电压：177 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值反向功率耗散：5000 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：110 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

5KP110A-BP 数据手册

 浏览型号5KP110A-BP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号5KP110A-BP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
5KP5.0  
THRU  
5KP110A  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
5000 Watt  
Transient Voltage  
Suppressors  
·
·
·
·
Unidirectional And Bidirectional  
Low Inductance  
High Temp Soldering: 250°C for 10 Seconds At Terminals  
For Bidirectional Devices Add “C” To The Suffix Of The Part  
Number: i.e. 5KP6.5C or 5KP6.5CA for 5% Tolerance Devices  
5.0 to 110 Volts  
R-6  
Maximum Ratings  
·
·
·
·
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
5000 Watt Peak Power  
Response Time 1 x 10-12 Seconds For Unidirectional and 5 x 10-9  
For Bidirectional  
D
Figure 1  
1000  
A
PPP - KW  
100  
Cathode  
B
10  
.1mse  
1msec  
10msec  
100msec  
1msec  
c
tP  
D
Peak Pulse Power (P ) – versus – Pulse Time (tP)  
PP  
Figure 2 - Pulse Waveform  
Test wave  
form  
parameters:  
tr  
Peak Value I  
C
100  
50  
PP  
t = 10 msec  
r
Half Wave IPP/2  
10 x 1000 Wave as  
defined by R.E.A.  
DIMENSIONS  
% IPP  
INCHES  
MIN  
.340  
.340  
.048  
MM  
MIN  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.360  
.360  
.052  
---  
MAX  
9.10  
9.10  
1.30  
---  
NOTE  
8.60  
8.60  
1.20  
1.000  
25.40  
0
1
2
3
msec  
Peak Pulse Current (% I ) - Versus - Time (t)  
PP  
www.mccsemi.com  
123

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与5KP110A-BP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
5KP110A-C SECOS

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 		5000W Peak Power TVS
5KP110ACOX.120 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
5KP110ACOX.160 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 110V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon,
5KP110ACOX.200 MICROSEMI

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5KP110A-E3 VISHAY

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 		DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup
5KP110A-E3/51 VISHAY

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 		DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup
5KP110A-E3/53 VISHAY

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 		DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN, Transient Sup
5KP110A-E3/54 VISHAY

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 		DIODE 5000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE P600, 2 PI

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