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5962R9584502QXC

更新时间: 2024-01-15 06:13:16
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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32页 1182K
描述
x8 SRAM

5962R9584502QXC 技术参数

生命周期:Active包装说明:DFP, FL36,.6,25
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.67
最长访问时间:25 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-XDFP-F36内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:36字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:CERAMIC封装代码:DFP
封装等效代码:FL36,.6,25封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Qualified
筛选级别:38535V;38534K;883S最大待机电流:0.0005 A
最小待机电流:2.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.16 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:FLAT
端子节距:0.635 mm端子位置:DUAL
总剂量:100k Rad(Si) VBase Number Matches:1

5962R9584502QXC 数据手册

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