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5962R1822001VXC

更新时间： 2023-09-03 20:27:40

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德州仪器 - TI		电子开关
页数	文件大小	规格书
43页	2200K
描述
耐辐射 QMLV、4.5V 至 14V 输入、3.5A 负载开关/电子保险丝 \| HKR \| 16 \| -55 to 125

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5962R1822001VXC 数据手册

TPS7H2211-SP

ZHCSOS3B –AUGUST 2021 –REVISED MAY 2022

TPS7H2211-SP 耐辐射保证(RHA) 14V、3.5A 电子保险丝

开关由可与低压控制信号直接连接的打开和关闭输入

(EN) 控制。过压保护和软启动可通过OVP 和SS 引脚

使用很少的外部组件进行编程。TPS7H2211-SP 采用

陶瓷封装，带有外露散热垫，可提高散热性能。

1 特性

• 电离辐射总剂量(TID) 为100krad(Si)

– 抗辐射加固保障为100krad(Si)

• 确定了单粒子效应(SEE)

器件信息

等级⁽²⁾

可订购器件型号⁽¹⁾

– 单粒子锁定(SEL)、单粒子烧毁(SEB) 和单粒子

栅穿(SEGR) 对于线性能量传递(LET) 的抗扰度

= 75MeV-cm²/mg*

封装

飞行等级QMLV-

RHA 100krad(Si)

5962R1822001VXC

16 引脚CFP

11.00mm ×

9.60mm 质量=

1.56g⁽⁴⁾

– 单粒子功能中断(SEFI) 和单粒子瞬变(SET) 对

于LET 的额定值= 75MeV-cm²/mg*

• 集成式单通道eFuse

• 输入电压范围：4.5 V 至14 V

• 低导通电阻(R_ON)，在温度为25°C 和输入电压为

12V 时具有60mΩ的最大值

• 3.5A 最大持续开关电流

• 低控制输入阈值支持使用

1.2V、1.8V、2.5V 和3.3V 逻辑电平

• 可配置上升时间（软启动）

• 反向电流保护(RCP)

5962-1822001VXC

TPS7H2211HKR/EM

飞行等级QMLV

工程样品⁽³⁾

飞行等级QMLV-

RHA KGD

5962R1822001V9A

已知合格芯片

3.66mm × 5.75mm

工程样品⁽³⁾

TPS7H2211Y/EM

TPS7H2211EVM-CVAL

评估模块

评估板

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

(2) 有关器件等级的其他信息，请查看SLYB235。

(3) 这些器件仅适用于工程评估。器件按照不合规的流程进行加工

处理。这些器件不适用于质检、生产、辐射测试或飞行用途。

这些零器件无法在–55°C 至125°C 的完整MIL 额定温度范围

内或运行寿命中保证其性能。

• 过压保护(OVP)

• 内部电流限制（快速跳变）

• 热关断

• 带散热垫的陶瓷封装

(4) 质量误差在±10% 以内。

• 支持军用（–55°C 至125°C）温度范围

VIN

VOUT

VIN

VOUT

*请参阅TPS7H2211-SP SEE 辐射报告，了解测试条件和完整

信息

C_SS

R_{TOP_EN}

2 应用

R_{TOP_OVP}

TPS7H2211-SP

• 卫星电力系统(EPS)

• 冷备用电源（冗余）

• 电源时序

• 命令和数据处理

• 通信负载

• 耐辐射电源树

R_{BOT_EN}

OVP

GND

R_{BOT_OVP}

3 说明

TPS7H2211-SP 是一个单通道 eFuse（具有附加功能

的集成 FET 负载开关），可提供反向电流保护、过压

保护和可配置的上升时间，以更大限度减少浪涌电流

（软启动）。此器件包含一个可在 4.5V 至14V 输入电

压范围内运行的P 沟道MOSFET，并且支持最大3.5A

的持续电流。

简化版原理图

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLVSEW6

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