Datasheet > 存储 > SRAM> 5962R0520801VYC

5962R0520801VYC

更新时间： 2024-11-20 06:30:27

品牌	Logo	应用领域
爱特美尔 - ATMEL		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
13页	347K
描述
Rad Hard 512K x 8 5V Tolerant Very Low Power CMOS SRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

5962R0520801VYC 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DFP
包装说明：	DFP, FL36,.5	针数：	36
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.49
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	17 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDFP-F36
JESD-609代码：	e4	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	36
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DFP	封装等效代码：	FL36,.5
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3 V
认证状态：	Qualified	筛选级别：	MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度：	3.05 mm	最大待机电流：	0.0015 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.18 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	GOLD
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	总剂量：	100k Rad(Si) V
宽度：	12.195 mm	Base Number Matches：	1

5962R0520801VYC 数据手册

Features

• Operating Voltage: 3.3V, 5V tolerant

• Access Time:

– 17 ns

– 15 ns

• Very Low Power Consumption

– Active: 610 mW (Max) @ 17 ns⁽¹⁾, 540 mW (Max) @ 25 ns

– Standby: 3.3 mW (Typ)

• Wide Temperature Range: -55 to +125°C

• TTL-Compatible Inputs and Outputs

• Asynchronous

• Designed on 0.25 µm Radiation Hardened Process

• No Single Event Latch Up below LET Threshold of 80 MeV/mg/cm²

• Tested up to a Total Dose of 300 krads (Si) according to MIL-STD-883 Method 1019

• 500 Mils Wide FP36 Package

Rad Hard

512K x 8

5V Tolerant

Very Low Power

CMOS SRAM

• ESD Better than 2000V

• Quality Grades: ESCC with 9301/052, QML-Q or V with smd 5962-05208

Note:

1. 650 mW (Max) @ 15 ns

Description

The AT60142FT is a very low power CMOS static RAM organized as 512K x 8 bits.

Atmel brings the solution to applications where fast computing is as mandatory as low

consumption, such as aerospace electronics, portable instruments, or embarked

systems.

AT60142FT

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, the AT60142FT combines an

extremely low standby supply current (Typical value = 1 mA) with a fast access time at

15 ns over the full military temperature range. The high stability of the 6T cell provides

excellent protection against soft errors due to noise.

The AT60142FT is processed according to the methods of the latest revision of the

MIL PRF 38535 or ESCC 9000.

It is produced on a radiation hardened 0.25 µm CMOS process.

Rev. 7726B–AERO–04/09

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与5962R0520801VYC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
5962R0520802VXC	ATMEL	获取价格	Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM
5962R0520802VYC	ATMEL	获取价格	Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM
5962R0520802VYX	ATMEL	获取价格	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, 0.500 INCH, DFP-36
5962R0622901VXC	ATMEL	获取价格	Rad Hard 16 MegaBit 3.3V 5V Tolerant SRAM Multi-Chip Module
5962R0622902VXC	ATMEL	获取价格	Rad Hard 16 MegaBit 3.3V SRAM MultiChip Module
5962R0622903VYC	ATMEL	获取价格	Rad Hard 16 MegaBit 3.3V 5V Tolerant SRAM Multi- Chip Module
5962R0622903VYX	MICROCHIP	获取价格	Standard SRAM, 512KX32, 25ns, CMOS, CQFP68
5962R0622904VYC	MICROCHIP	获取价格	Standard SRAM, 512KX32, 20ns, CMOS, CQFP68, 0.950 INCH, NCTB, CERAMIC, MQFP-68
5962R0622905VYC	ACTEL	获取价格	Standard SRAM, 512KX32, 20ns, CMOS, QFP-68
5962R0626201VXC	TI	获取价格	耐辐射加固保障 (RHA)、QMLV、300krad、陶瓷、14 位、单通道、155MSP

与5962R0520801VYC相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

5962R0520801VYC

5962R0520801VYC 技术参数

5962R0520801VYC 数据手册

与5962R0520801VYC相关器件

与5962R0520801VYC相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

5962R0520801VYC

5962R0520801VYC 技术参数

5962R0520801VYC 数据手册

与5962R0520801VYC相关器件

与5962R0520801VYC相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？