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5962H9954103QXC

更新时间: 2024-02-16 14:21:26
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其他 - ETC 静态存储器
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25页 855K
描述
x8 SRAM

5962H9954103QXC 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DFP
包装说明:DFP,针数:40
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.1.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:30 nsJESD-30 代码:R-XDFP-F40
长度:21.72 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:256KX8
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DFP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-PRF-38534 Class V座面最大高度:4.64 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:FLAT端子节距:0.64 mm
端子位置:DUAL总剂量:1M Rad(Si) V
宽度:18.034 mm

5962H9954103QXC 数据手册

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