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| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, SOP10,.4 | 针数： | 10 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.33.00.01 | 风险等级： | 5.08 |
| 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER | 架构： | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 10 µA | 25C 时的最大偏置电流 (IIB)： | 10 µA |
| 标称共模抑制比： | 85 dB | 频率补偿： | YES (AVCL>=2) |
| 最大输入失调电压： | 1500 µV | JESD-30 代码： | R-GDSO-G10 |
| JESD-609代码： | e0 | 低-偏置： | NO |
| 低-失调： | NO | 微功率： | NO |
| 负供电电压上限： | -18 V | 标称负供电电压 (Vsup)： | -5 V |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 10 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP10,.4 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 功率： | NO |
| 电源： | +-5/+-15 V | 可编程功率： | NO |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-PRF-38535 Class V |
| 子类别： | Operational Amplifier | 最大压摆率： | 9.5 mA |
| 供电电压上限： | 18 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 总剂量： | 300k Rad(Si) V |
| 标称均一增益带宽： | 170000 kHz | 最小电压增益： | 2200 |
| 宽带： | YES | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962F9553602VHA | TI | 超高速、高输出电流、电压反馈放大器 | NAD | 10 | -55 to 125 |
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| 5962F9560401QPA | NSC | LM6172QML Dual High Speed, Low Power, Low Distortion, Voltage Feedback Amplifiers |
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| 5962F9560401QXA | ETC | Amplifier. Other |
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| 5962F9560401V9A | TI | 双路高速、低功耗、低失真电压反馈放大器 | Y | 0 | -55 to 125 |
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| 5962F9560401VPA | NSC | LM6172QML Dual High Speed, Low Power, Low Distortion, Voltage Feedback Amplifiers |
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| 5962F9560401VPA | TI | 双路高速、低功耗、低失真电压反馈放大器 | NAB | 8 | -55 to 125 |
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