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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | QFP-68 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.83 |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | CONFIGURABLE AS 2M X 8 |
| 备用内存宽度： | 16 | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | S-XQFP-F68 | JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 39.625 mm | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | SRAM MODULE | 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 68 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 组织： | 512KX32 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装代码： | QFF | 封装等效代码： | QFL68,1.56SQ |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLATPACK |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | MIL-STD-883 |
| 座面最大高度： | 5.1 mm | 最大待机电流： | 0.04 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.8 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | GOLD |
| 端子形式： | FLAT | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | QUAD | 宽度： | 39.625 mm |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 5962-9562411HNX | WEDC |
获取价格 |
SRAM Module, 512KX32, 35ns, CMOS, QFP-68 |
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| 5962-9562412HNC | ETC |
获取价格 |
x32 SRAM Module |
|
| 5962-9562501NXB | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
|
| 5962-9562501NXX | WEDC |
获取价格 |
IC 2M X 8 FLASH 5V PROM, 85 ns, PDSO56, PLASTIC, SSOP-56, Programmable ROM |
|
| 5962-9562502NXB | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
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| 5962-9562502NXX | WEDC |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 100ns, PDSO56, PLASTIC, SSOP-56 |
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| 5962-9562503NXB | INTEL |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 85ns, PDSO56, PLASTIC, SSOP-56 |
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| 5962-9562504NXB | ETC |
获取价格 |
x8/x16 Flash EEPROM |
|
| 5962-9562504NXX | WEDC |
获取价格 |
Flash, 2MX8, 100ns, PDSO56, PLASTIC, SSOP-56 |
|
| 5962-9562701NXD | ETC |
获取价格 |
x18 Synchronous FIFO |
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