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5962-9461204HMC

更新时间： 2024-02-17 20:07:00

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MICROSS		/
页数	文件大小	规格书
22页	442K
描述
Flash Module, 512KX32, 70ns, CQFP68, CERAMIC, QFP-68

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5962-9461204HMC 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	QFP,	针数：	68
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.4
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	USER CONFIGURABLE AS 2M X 8
备用内存宽度：	16	JESD-30 代码：	S-CQFP-G68
JESD-609代码：	e4	长度：	22.375 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH MODULE
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	68	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX32	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QFP	封装形状：	SQUARE
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	认证状态：	Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	座面最大高度：	5.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	GOLD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	22.375 mm	Base Number Matches：	1

5962-9461204HMC 数据手册

FLASH

AS8F512K32

Austin Semiconductor, Inc.

512K x 32 FLASH

PIN ASSIGNMENT

(Top View)

FLASH MEMORY ARRAY

68 Lead CQFP (Q)

AVAILABLE AS MILITARY

SPECIFICATIONS

•

SMD5962-94612

MIL-STD-883

FEATURES

•

Fast Access Times: 70, 90, 120 and 150ns

Operation with single 5V (±10%)

Theta JC= 1.00°^C/w

User configurable as 512Kx32, 1Mx16, or 2Mx8

Eight Equal Sectors of 64K Bytes for each 512Kx8

Compatible with JEDEC EEPROM command set

Any Combination of Sectors can be Erased

Supports Full Chip Erase

Embedded Erase and Program Algorithms

TTL Compatible Inputs and CMOS Outputs

Built in decoupling caps for low noise operation

Suspend Erase/Resume Function

66 Lead PGA (P)

Individual Byte Read/ Write Control

10,000 Program/Erase Cycles

OPTIONS

MARKINGS

•

Timing

70ns

90ns

120ns

150ns

-70

-90

-120

-150

•

Package

Ceramic Quad Flat pack

Pin Grid Array

No. 702

No. 904

GENERAL DESCRIPTION

The Austin Semiconductor, Inc. AS8F512K32 is a 16 Megabit

CMOS FLASH Memory Module organized as 512Kx32 bits. The

AS8F512K32 achieves high speed access (70 to 150 ns), low power

consumption and high reliability by employing advanced CMOS memory

technology.

An on-chip state machine controls the program and erase func-

tions. The embedded byte-program and sector/chip erase functions are

fully automatic. Data-protection of any sector combination is accom-

plished using a hardware sector-protection feature.

The Erase/Resume function allows the sector erase operation to

read data from, or program to a non-erasing sector, then resume the

erase operation.

Device operations are selected by using standard commands into

the command register using standard microprocessor write timings. The

command register acts as an input to an internal state machine that

interprets the commands, controls the erase and programming opera-

tions, outputs the status of the device, and outputs data stored in the

device. On initial power-up operation, the device defaults to the read

mode.

For more products and information

please visit our web site at

www.austinsemiconductor.com

Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

AS8F512K32

Rev. 4.0 6/01

12 3 4 5 6 7...22

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