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5962-9461106HTC

更新时间： 2024-02-11 10:19:40

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	223K
描述
Cache SRAM Module, 512KX32, 45ns, CMOS, CPGA66, PGA-66

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5962-9461106HTC 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PGA, PGA66,11X11
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	45 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	S-XPGA-P66
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	SRAM MODULE
内存宽度：	32	端子数量：	66
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC
封装代码：	PGA	封装等效代码：	PGA66,11X11
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流：	0.028 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.57 mA
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	PIN/PEG	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	PERPENDICULAR	Base Number Matches：	1

5962-9461106HTC 数据手册

SRAM

AS8S512K32

& AS8S512K32A

Austin Semiconductor, Inc.

512K x 32 SRAM

PIN ASSIGNMENT

SRAM MEMORY ARRAY

(Top View)

AVAILABLE AS MILITARY

SPECIFICATIONS

68 Lead CQFP (Q)

Military SMD Pinout Option

•

SMD 5962-94611 (Military Pinout)

MIL-STD-883

1 0

1 1

1 2

6 0

5 9

5 8

I/O 16

I/O 17

I/O 18

I/O 19

I/O 20

I/O 21

I/O 22

I/O 23

GND

I/O 24

I/O 25

I/O 26

I/O 27

I/O 28

I/O 29

I/O 30

I/O 31

I/O 0

I/O 1

I/O 2

FEATURES

•

Operation with single 5V supply

1 3

1 4

1 5

1 6

1 7

1 8

1 9

2 0

2 1

2 2

2 3

2 4

2 5

2 6

5 7

5 6

5 5

5 4

5 3

5 2

5 1

5 0

4 9

4 8

4 7

4 6

4 5

4 4

I/O 3

I/O 4

I/O 5

I/O 6

I/O 7

GND

I/O 8

I/O 9

I/O 10

I/O 11

I/O 12

I/O 13

I/O 14

I/O 15

High speed: 17, 20, 25 and 35ns

Built in decoupling caps for low noise

Organized as 512Kx32 , byte selectable

Low power CMOS

TTL Compatible Inputs and Outputs

Future offerings

3.3V Power Supply

15 ns Ultra High Speed

OPTIONS

MARKINGS

68 Lead CQFP

Commercial Pinout Option (A)

• Operating Temperature Ranges

Military (-55^oC to +125^oC)

Industrial (-40^oC to +85^oC)

• Timing

1 0

1 1

6 0

5 9

I/O 14

I/O 13

I/O 12

Vss

I/O 11

I/O 10

I/O 9

I/O 8

Vcc

I/O 7

I/O 6

I/O 5

I/O 4

Vss

I/O 3

I/O 2

I/O 1

I/O17

I/O18

I/O19

Vss

I/O20

I/O21

I/O22

I/O23

Vcc

I/O24

I/O25

I/O26

I/O27

Vss

I/O28

I/O29

I/O30

17ns

20ns

25ns

35ns

45ns

55ns

-17

-20

-25

-35

-45

-55

1 2

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1 5

1 6

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1 9

2 0

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2 5

2 6

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5 7

5 6

5 5

5 4

5 3

5 2

5 1

5 0

4 9

4 8

4 7

4 6

4 5

4 4

• Package

Ceramic Quad Flatpack

Pin Grid Array

No.702

No.904

•

Low Power Data Retention Mode

66 Lead PGA (P)

Military SMD Pinout

Pinout

Military

Commercial

(no indicator)

GENERAL DESCRIPTION

The Austin Semiconductor, Inc. AS8S512K32 and

AS8S512K32A are 16 Megabit CMOS SRAM Modules organized as

512Kx32 bits. These devices achieve high speed access, low power

consumption and high reliability by employing advanced CMOS

memory technology.

This military temperature grade product is ideally suited for

military and space applications.

For more products and information

please visit our web site at

www.austinsemiconductor.com

Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

AS8S512K32 & AS8S512K32A

Rev. 3.0 6/00

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
5962-9461106HTX	MERCURY	获取价格	Standard SRAM, 512KX32, 45ns, CMOS, CPGA66, HIP-66
5962-9461106HXA	WEDC	获取价格	SRAM Module, 2MX8, 45ns, CMOS, CPGA66, HEX-IN-LINE, SINGLE CAVITY, WITH STANDOFFS-66
5962-9461106HXC	WEDC	获取价格	Cache SRAM Module, 512KX32, 45ns, CMOS, CPGA66, HEX-IN-LINE, SINGLE CAVITY, WITH STANDOFFS
5962-9461106HXX	WEDC	获取价格	SRAM Module, 2MX8, 45ns, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-6
5962-9461106HYA	ETC	获取价格	x32 SRAM Module
5962-9461106HYC	ETC	获取价格	x32 SRAM Module
5962-9461107H_X	WEDC	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 35ns, CMOS, CQMA68, CERAMIC, QFP-68
5962-9461107H9C	WEDC	获取价格	Cache SRAM Module, 512KX32, 35ns, CMOS, CQFP68,
5962-9461107HAX	MICROSS	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 35ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68
5962-9461107HBC	WEDC	获取价格	SRAM Module, 512KX32, 35ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68

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