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5962-9458505H6C

更新时间： 2024-01-11 00:43:27

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其他 - ETC		内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
35页	970K
描述
x32 EEPROM Module

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5962-9458505H6C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	PGA,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	125 ns
其他特性：	USER CONFIGURABLE AS 512K X 8	备用内存宽度：	16
JESD-30 代码：	S-CPGA-P66	JESD-609代码：	e4
长度：	27.3 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	EEPROM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	66
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX32
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	PGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	座面最大高度：	4.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	GOLD	端子形式：	PIN/PEG
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	27.3 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...35

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
5962-9458505H6X	MICROSEMI	获取价格	EEPROM Module, 128KX32, 125ns, Parallel, CMOS, CPGA66, 1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED
5962-9458505H9A	ETC	获取价格	EEPROM
5962-9458505H9C	ETC	获取价格	EEPROM
5962-9458505HBA	WEDC	获取价格	EEPROM Module, 128KX32, 140ns, Parallel, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68
5962-9458505HMA	ETC	获取价格	x32 EEPROM Module
5962-9458505HMC	ETC	获取价格	x32 EEPROM Module
5962-9458505HNC	ETC	获取价格	x32 EEPROM Module
5962-9458505HNX	MICROSEMI	获取价格	EEPROM Module, 128KX32, 140ns, Parallel, CMOS, CQMA68, CERAMIC, QFP-68
5962-9458505HTA	ETC	获取价格	x32 EEPROM Module
5962-9458505HTC	ETC	获取价格	x32 EEPROM Module