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5962-9318703HYC

更新时间: 2024-01-31 19:27:24
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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29页 767K
描述
x32 SRAM Module

5962-9318703HYC 技术参数

生命周期:TransferredReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.58Is Samacsys:N
最长访问时间:85 ns其他特性:USER CONFIGURABLE AS 128K X 32
备用内存宽度:16JESD-30 代码:S-CHIP-P66
JESD-609代码:e4内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:512KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:SQUARE封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:GOLD
端子形式:PIN/PEG端子位置:HEX
Base Number Matches:1

5962-9318703HYC 数据手册

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