生命周期: | Active | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.56 | 最长访问时间: | 50 ns |
其他特性: | OUTPUT REGISTERED | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T28 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 37.0205 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | OTP ROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 32KX8 |
输出特性: | REGISTERED | 封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP28,.3 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 5 V |
认证状态: | Qualified | 筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.13 A |
子类别: | OTP ROMs | 最大压摆率: | 0.13 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
5962-9215501MXX | ETC | x8 EPROM |
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5962-9215501MYA | WEDC | OTP ROM, 32KX8, CMOS, CQCC32 |
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5962-9215501MYX | ETC | x8 EPROM |
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5962-9215501MZA | WEDC | OTP ROM, 32KX8, 25ns, CMOS, CDFP28 |
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5962-9215501MZX | ETC | x8 EPROM |
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5962-9215502MXX | ETC | x8 EPROM |
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