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5962-9166209MXA

更新时间: 2024-02-23 14:35:14
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
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32页 972K
描述
x16 Dual-Port SRAM

5962-9166209MXA 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:QFP
包装说明:QFF, QFL84,1.2SQ针数:84
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.47
最长访问时间:25 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-XQFP-F84JESD-609代码:e0
长度:29.21 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:2
端子数量:84字数:4096 words
字数代码:4000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:4KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:QFF
封装等效代码:QFL84,1.2SQ封装形状:SQUARE
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Qualified
筛选级别:MIL-STD-883座面最大高度:3.56 mm
最大待机电流:0.03 A最小待机电流:4.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.41 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:TIN LEAD端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
宽度:29.21 mmBase Number Matches:1

5962-9166209MXA 数据手册

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