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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-14 | 针数： | 14 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.58 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | IOH = 40MA @ VOH = 2V; IOL = 40MA @ VOL = 0.5V | 系列： | AS |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 | 长度： | 19.56 mm |
| 负载电容（CL）： | 50 pF | 逻辑集成电路类型： | NAND GATE |
| 最大I（ol）： | 0.04 A | 功能数量： | 4 |
| 输入次数： | 2 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP14,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 最大电源电流（ICC）： | 19 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Sup： | 5 ns | 传播延迟（tpd）： | 5 ns |
| 认证状态： | Not Qualified | 施密特触发器： | NO |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | Gates |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | TTL | 温度等级： | MILITARY |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 5962-9162701MCX | ETC | Quad 2-input NAND Gate |
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| 5962-9162701MDX | ETC | Quad 2-input NAND Gate |
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| 5962-9162901MXA | TI | 5 LINE RECEIVER, CDIP24, 0.400 INCH, CERAMIC, DIP-24 |
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| 5962-9162901MXX | ETC | Line Receiver |
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| 5962-9162901MYA | WEDC | Line Receiver, 5 Func, 1 Rcvr, ECL, CQFP24 |
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| 5962-9162901MYX | ETC | Line Receiver |
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