是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DIE |
包装说明: | DIE, DIE OR CHIP | 针数: | 102 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.36 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 30 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XUUC-N |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 131072 bit |
内存集成电路类型: | DUAL-PORT SRAM | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 2 | 端子数量: | 102 |
字数: | 8192 words | 字数代码: | 8000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 8KX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIE | 封装等效代码: | DIE OR CHIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | UNCASED CHIP |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 5 V | 认证状态: | Qualified |
筛选级别: | MIL-PRF-38534 Class Q | 最大待机电流: | 0.0004 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.34 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
5962-9161709Q9X | ATMEL |
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Dual-Port SRAM, 8KX16, 30ns, CMOS, DIE | |
5962-9161709QZC | ATMEL |
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Rad. Tolerant High Speed 8 Kb x 16 Dual Port RAM | |
5962-9161709V9A | ATMEL |
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Rad. Tolerant High Speed 8 Kb x 16 Dual Port RAM | |
5962-9161709VZC | ATMEL |
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Rad. Tolerant High Speed 8 Kb x 16 Dual Port RAM | |
5962-9161801MXA | IDT |
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FIFO, 2KX9, 50ns, Asynchronous, CMOS, CDIP32, CERDIP-32 | |
5962-9161801MXX | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO | |
5962-9161802MXX | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO | |
5962-9161901MPX | ETC |
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Analog Comparator | |
5962-9162101HXA | ETC |
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Voltage-Feedback Operational Amplifier | |
5962-9162101HXC | ETC |
获取价格 |
Voltage-Feedback Operational Amplifier |